南京工业大学杭晓春&北化院徐林《‌‌CEJ》|具有窄光谱发射特性的Pt(II)配合物用于高性能绿色有机发光二极管

有机发光二极管（OLED）在满足未来应用对高效率、运行稳定性和色彩纯度的多重要求方面仍面临挑战。本研究开发了两种新型铂(II)配合物，用于制造高性能绿色OLED。这两种发光材料的核心配位结构包含二苯并呋喃基（dbf）单元，外围则连接2,6-二异丙基苯基（dipp）基团。dbf与dipp基团的引入显著增强了发光态刚性并抑制了分子间相互作用，使发光材料实现接近100%的光致发光量子产率（PLQY），并产生窄光谱绿色发光，其半最大全宽（FWHM）值≤26 nm。集成磷光OLED在1000 cd·m⁻²光照强度下，电流效率（CE）达94.8 cd·A⁻¹，功率效率（PE）为90.3 lm·W⁻¹，耐久性（LT95，即亮度恢复至初始值95%所需时间）高达258小时。其中磷敏 OLED（PS- OLED）的CE与PE分别达到123.4 cd·A⁻¹和133.7 lm·W⁻¹，性能优于采用铱配合物的磷敏器件。该顶部发光PS- OLED 的CIE坐标为(0.222,0.748)，符合BT 2020标准的90.3%覆盖率要求。本研究成功开发出具有窄光谱发射特性的铂(II)荧光粉，为高性能绿色OLED提供了重要突破。

图 1. 发绿发光复合物的化学结构。

图 2. 单晶结构及分子堆积方式。

图 3. PtBF-G1(a)与 PtBF-G2(b)的计算模拟结果。

图4. (a)DCM溶液的紫外-可见吸收光谱与光致发光（PL）光谱，以及2-MeTHF在77 K下的PL光谱。(b)DCM溶液的瞬态衰减曲线。(c)蒸发薄膜的PL光谱；(d)蒸发薄膜的瞬态衰减曲线。

图5. (a)底发射器件的能量级图及分子结构；（b-d）EL光谱；（e-g）CE、PE和 EQE -亮度曲线。底发射器件结构为：ITO/ HATCN（10 nm）/ TAPC（50 nm）/ HATCN（10 nm）/SiCzCz（20 nm）/ EML（30 nm）/mSiTrz（5 nm）/mSiTrz:50% Liq（31 nm）/Liq（1 nm）/Al（120 nm）。pH/PS-G1、pH/PS-G2和pH/PS-Ir的电致发光材料分别是在SiCzCz:SiTrzCz2（42:58）共宿主中掺杂了5 wt% PtBF-G1、PtBF-G2和Ir(ppy)2(mdp)。基于Ph- OLED ，PS-OLEDs还额外掺杂了2 wt% tCzphB-Fl。

图6. 顶部发光器件的发射光谱(a)及BT.2020标准下的CIE色度覆盖范围(b)。