多孔基底→浸渍涂覆制备二维 MFI 纳米片晶种层→T 合成形成超薄连续沸石膜;绿色为 MFI 纳米片、蓝色为 CHA 晶体、黄色为 OSDA、浅蓝色为凝胶中前驱体;标注 10 元环(10 MR)、8 元环(8 MR)
a、b:18h 合成 Si-CHA 膜表面及截面 SEM 图;c:12h 合成 Si-CHA 膜截面 STEM 图,含局部放大图及选区电子衍射(SEAD)图谱;d:Si-CHA 膜孔隙率分析;e:TCI 法与传统二次生长(CSG)法制备 Si-CHA 膜单气体渗透性能对比
图 3 TCI 法 Si-CHA 沸石形成机制及表征
a:MFI 向 CHA 拓扑转化机制示意图;b:不同合成时间 Si-CHA 膜 ATR/FTIR 光谱;c:膜厚度方向不同深度 XPS 谱;d:MAS NMR 谱;e、f:12h 合成混合沸石 HRTEM 图;g:MFI→CHA 转化及脱水反应吉布斯自由能 DFT 模拟结果
a:干态 CO₂/CH₄混合气中,压力降对 Si-CHA 膜分离性能影响;b:湿热 CO₂/CH₄混合气中 Si-CHA 膜长期稳定性;c:干态 CO₂/CH₄混合气中,TCI 膜与已报道聚合物、MOF、混合基质(MMM)、沸石膜性能对比;d:湿态 CO₂/CH₄混合气中,TCI 膜与已报道沸石膜性能对比;e:胺吸收、传统双级膜、本研究单级膜工艺能耗对比;f:不同 CO₂含量天然气脱碳成本对比