图3. 四种实验合金铸态下的背散射电子扫描图像。(a) S1合金, (b) S2合金, (c) S3合金, (d) S4合金。 
图5. 四种固溶处理态合金中弥散相的背散射电子图像:(a) S1合金, (b) S2合金, (c) S3合金, (d) S4合金。 
图6. 四种固溶处理态合金中第二相的背散射电子图像及相应的能谱分析图谱:(a) S1合金, (b) S2合金, (c) S3合金, (d) S4合金。图中用红色箭头标记的颗粒用于能谱点分析。 
图7. 四种固溶处理态合金中弥散相的高角环形暗场扫描透射电子显微镜图像。(a, e) S1合金, (b, f) S2合金, (c, g) S3合金, (d, h) S4合金。(e, f, g, h) 分别为对应弥散相的放大STEM图像。 
图8. 分别在S1、S4、S2和S3合金中形成的TMn、AlCuNi、Al₃Zr和Al₃(Sc, Zr)弥散相的高角环形暗场扫描透射电子显微镜图像及相应的能量色散X射线图谱。(a)、(b)、(c)和(d)分别对应S1、S4、S2和S3合金中的弥散相。 
图10. (a) 四种合金在190 °C人工时效过程中的硬度演化曲线;(b) 四种峰值时效合金在300 °C热暴露过程中的硬度演化曲线;(c) 四种合金在峰值时效期间的硬度增量;(d) 四种合金在热暴露期间的硬度下降值。 
图11. 四种合金在峰值时效态和热暴露态(300 °C保温100小时)下的高角环形暗场扫描透射电子显微镜图像。(a-d) 峰值时效时在无沉淀带中形成的θ'析出相;(a1-d1) 峰值时效时在沉淀带中形成的θ'析出相;(e-h) 300 °C热暴露后在无沉淀带中形成的θ'析出相;(e1-h1) 300 °C热暴露后在沉淀带中形成的θ'析出相。 
图12. 不同时效条件下形成的θ'析出相的尺寸分布图。(a-d) 峰值时效时无沉淀带中的θ'析出相;(a1-d1) 峰值时效时沉淀带中的θ'析出相;(e-h) 300 °C热暴露后无沉淀带中的θ'析出相;(e1-h1) 300 °C热暴露后沉淀带中的θ'析出相。 
图15. 四种合金的拉伸真应力-真应变曲线:(a) 峰值时效;(b) 热暴露合金的室温拉伸测试;(c) 热暴露合金在300 °C下的拉伸测试。(a1-c1) 分别对应(a-c)的柱状统计图。 
图17. 四种合金在不同热处理过程中第二相演变的示意图:(a-d) 固溶处理;(a1-d1) 峰值时效;(a2–d2) 热暴露(300 °C保温100小时)。 |