作为集成光电子芯片的重要组成部分，大多数多层和二维分层半导体都具有平面外反转对称性，这限制了它们的多功能应用。近日，东南大学徐春祥、王睿、崔乾楠、南京信息工程大学李元元提出了一种简单的界面工程方法，通过半导体-金属范德华异质界面上的内置电场来打破这种反转对称性。
本文要点
1)在制备的块状WS2/Au异质结构中，作者通过强二次谐波发生（SHG）实验证实了2H WS2层的反转对称性被破坏。
2)通过相关的二次谐波、原子力和表面势映射测量以及密度泛函理论模拟（DFT），作者明确证实了所提出的物理机制。该工作为利用2D半导体/金属异质结构构建多功能集成光电子芯片提供了更多可能性。
参考文献
Chuansheng Xia et.al Breaking Inversion Symmetry in 2D Semiconductors by Built-In Electric Fields across the van der Waals Metal–Semiconductor Interface ACS Nano 2026
DOI: 10.1021/acsnano.5c13154
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.5c13154
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