

双机制非互易输运:单个器件内存在两种超导二极管效应——非互易超导-正常态转变(SN‑SDE)和涡旋运动引起的二极管效应(V‑SDE),两者均源于同一电热热点机制。
高效率:SN‑SDE效率最高达42%,V‑SDE效率达60%,优于多数现有栅压调控超导二极管。
电学可编程:通过选择激活上/下栅极,可原位切换二极管极性;关闭栅极电流则可完全关闭二极管效应。
电路级应用:利用四个电热开关二极管构建全波桥式整流器,通过编程实现全波/半波整流及极性反转,频率可扩展至GHz。
微观机制验证:结合TDGL模拟,揭示热点降低涡旋进入势垒、调制洛伦兹力方向,导致正反向临界电流显著差异。
器件制备:在Si衬底上沉积10 nm厚NbN薄膜,通过电子束光刻和反应离子刻蚀定义主通道(宽500 nm)和两侧对称的栅极引线(宽约40 nm)。四端配置允许独立控制上下热点位置。
电学测量:在2 K、外加磁场(约300 Gs)下进行。栅极电流略高于栅极引线的回滞电流(约9.1 μA),以产生稳定热点但不完全淬灭主通道超导。测量正向/反向I‑V曲线,提取去配对临界电流和脱钉临界电流,计算二极管效率。
TDGL模拟:采用含时金兹堡-朗道方程,模拟热点存在时涡旋的进入/排出动力学,重现实验观察到的双阶段非互易行为,并提取序参量空间分布和温度分布。
整流电路演示:将四个二极管按桥式连接,施加100 Hz正弦交流电流,测量不同栅极配置下的输出波形,验证全波/半波整流及极性编程功能。

图 1 电热开关型超导二极管



参考文献:https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6c00080.
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