

低温熔盐辅助CVD合成:引入NaCl降低反应势垒,将WO₂气相合成温度降至780°C(比此前最低温度低~400°C),获得高结晶度、高密度的WO₂纳米片。
超薄大尺寸形貌:纳米片呈平行四边形,最小厚度~5 nm(创纪录),横向尺寸超100 μm,通过调控生长温度和时长分别独立控制厚度和横向尺寸。
结构与光学各向异性:XRD、XPS、TEM证实单斜相及高结晶性;角分辨偏振拉曼光谱清晰分辨A_g和B_g模式,周期分别为90°和180°,与理论吻合。
低温磁输运性质:20 nm厚器件在1.5–20 K显示负磁阻,随温度升高转为正磁阻;角度依赖测量表明负磁阻在平行和垂直磁场下均存在,归因于外禀磁性散射而非弱局域化;霍尔测量显示电子为多数载流子,迁移率随温度升高而降低(室温~2 cm²/V·s)。
良好环境稳定性:在空气中存放一年后,形貌、表面平整度、拉曼光谱均无明显变化,无WO₃特征峰出现。
材料合成:采用常压CVD,将WO₃与NaCl混合粉末(质量比3:1)置于石英舟中心,SiO₂/Si衬底面朝下置于舟上方,在Ar(20 sccm)和H₂(2 sccm)气氛中,780°C生长10 min。
结构与成分表征:OM、AFM观察形貌与厚度;XRD、XPS确认物相与价态;拉曼光谱(488 nm)及角分辨偏振拉曼分析晶格振动各向异性;HRTEM和SAED确认单晶结构。
器件制备与输运测量:电子束光刻制备Hall bar器件(Cr/Au电极,5/50 nm);在1.5–298 K、磁场0–10 T下进行纵向电阻和霍尔电压测量,使用锁相放大器采集信号。
稳定性测试:将样品在空气中存放一年后,重复OM、AFM、拉曼测试,对比新鲜样品。


图2. 不同合成条件下WO₂纳米片的厚度和尺寸演化。(a) 在固定生长时间(10 min)和载气(20 sccm Ar + 2 sccm H₂)下,升高生长温度(780 °C、820 °C、860 °C 和 900 °C)所生长的WO₂纳米片的典型光学图像。(b) 在固定生长温度(800 °C)和相同载气下,增加生长时间(8 min、12 min、20 min 和 30 min)所生长的WO₂纳米片的典型光学图像。(c) 厚度对生长温度的依赖性。插图:不同厚度薄片的代表性光学图像(上)和相应的AFM高度图像(下)。光学显微镜和AFM图像中的比例尺:10 μm(适用于所有AFM插图)。

图3. 合成WO₂纳米片的综合结构和化学表征。(a) WO₂纳米片的XRD图谱。(b) W 4f峰的XPS表征。(c) WO₂纳米片的拉曼光谱。(d) WO₂纳米片的高分辨TEM图像。(e) 从(d)中放大的TEM图像。插图为WO₂的原子排列示意图。(f) 从(d)转换得到的快速傅里叶变换(FFT)图案。

图4. WO₂纳米片的角度分辨偏振拉曼散射光谱。(a, b) 分别在平行和垂直配置下,WO₂纳米片的偏振拉曼光谱,角度步长为20°。(c−f) 在平行和垂直配置下,A_g 和 B_g 模式(分别位于188 cm⁻¹和785 cm⁻¹)的拉曼频移随旋转角度变化的代表性极图。(g, h) 分别在平行和垂直配置下,WO₂纳米片偏振拉曼光谱的伪彩色图。色标表示归一化后的拉曼位移强度。蓝色圆圈代表实验数据,红色实线为拟合曲线。

图5. WO₂纳米片的低温磁输运性质。
参考文献:ACSAppl.Mater. Interfaces2026,18,26667−26676.
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