南京大学携Micro LED前沿成果亮相南京精品展,合作方含天马、乾照、星宇、中微等

01

增强现实照明投影全场景微小尺寸LED车灯

常州星宇车灯股份有限公司和南京大学合作，制备了微小尺寸LED数字前照灯。其输出光通量≥3000lm，FOV 24°*6，像素数量25600，地面投影距离10.017m，投影交互信息种类7种（包括导航提示、礼让行人、后方来车、危险警示、距离提示、音乐律动、领航光毯等），图像刷新率24.4Hz。晴天夜晚：识别距离318.8 m，识别率95%；雨天夜晚：识别距离121m，识别率87%；感知速度：26FPS。该产品产品已在蔚来ES8和奇瑞汽车中实现量产搭载，并在蔚来ES8发布会中做了性能的展示。

02

RGB全氮化镓基芯片TFT基Micro-LED全彩显示屏

南京大学与合肥工业大学团队通过分子束外延技术成功制备出电注入效率超过90%的隧道结红光Micro-LED器件。南京大学和厦门大学技术团队进一步与天马微电子公司合作，创新提出了提升激光巨量转移效率和良率的新方法和新技术，联合研制出国际上第一块RGB全氮化物芯片TFT基超视网膜显示Micro-LED全彩屏，像素密度高达403PPI，该工作证实了全氮化物显示技术的可行性，为未来新型显示技术的发展提供新的全彩技术方案

03

超低位错密度氮化镓蓝、绿光4英寸外延片

厦门乾照光电股份有限公司、江苏第三代半导体研究院、厦门大学和南京大学合作，制备了超低位错密度的氮化镓蓝、绿光外延片。通过研究复合缓冲层生长技术与选择性外延生长技术，设计了AlON复合缓冲层，通过优化O2工艺参数，获得了最优的工艺条件，有效改善了材料应力，提升了晶体质量。 

04

八英寸硅基氮化镓薄膜

南京大学研究团队与中微公司合作，在8英寸Si(111)衬底上实现了高质量GaN薄膜的异质外延。通过创新的变生长速率策略，在AlN/AlGaN超晶格缓冲层上沉积6.7 μm厚的GaN层，有效促进位错的弯曲、交互与湮灭。薄膜穿透位错密度降至8.0×10⁷ cm⁻²以下，较传统工艺降低逾一个量级，且整片无裂纹、翘曲仅16 μm，为大尺寸硅基GaN光电子器件提供了优异的材料平台。

江苏省南京市玄武区紫金山路5号

酒店预定二维码