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碲烯(Tellurene)由碲(Te)原子共价键合而成,是具有较强化学可调性的低维单元素材料。然而,受单元素组成和结构简单性的限制,长期以来实验上获得的碲烯主要是具有三角晶格的 相。这种非平面结构不仅使碲烯尺寸通常受限于微米量级,也为其范德华异质集成带来工艺挑战。此外, 相碲烯缺乏反演对称性和镜面对称性,链间孤对电子相互作用较强,使得偏离 相的平面化一维和二维碲纳米结构难以制备。由于碲原子外层具有四个 价电子,碲原子和团簇倾向于形成紧密堆积的高配位结构。如何打破这一结构倾向,实现具有对称性保护的超平一维/二维碲烯新相,是低维单元素材料合成中的关键问题。
有鉴于此,南京航空航天大学刘衍朋教授课题组利用缓冲层辅助外延策略,在 单晶表面制备出具有镜面对称性的厘米级大面积超平碲烯新相—-碲烯。作者基于成熟的分子束外延( MBE)技术,引入 Te 缓冲层调控界面相互作用,从而抑制非平面碲相形成。实验表明,超平 -碲烯在后退火过程中经由扩展的奥氏熟化(Ostwald ripening)和 Te 解离触发相变形成。结合扫描隧道显微镜(STM)、非接触原子力显微镜(nc-AFM)、扫描透射电子显微镜(STEM)和密度泛函理论(DFT)计算,作者证实该相由高度取向一致、平躺排列的单原子锯齿状一维 Te 链构成,整体呈拉链状超结构。 进一步表征显示,-碲烯表现出区别于传统 p 型碲烯的 n 型半导体行为,实验带隙约为 ,并具有二重面内镜面对称性。由于链内强共价键与链间大间距并存,该材料在晶格热导率、力学响应和光学拉曼响应中均表现出显著面内各向异性。该工作不仅拓展了单元素二维材料的结构相图,也为微纳电子和光电子器件的图案化集成提供了新的材料平台。
图文导读

图 1:超平 -碲烯的原子结构与生长。(a) -、- 和 -碲烯的侧视与俯视原子模型,-碲烯呈拉链状构型,宽度记为 ;(b) 在 基底上通过 Te 缓冲层辅助外延生长 -碲烯的示意图;(c) -碲烯的原子分辨 STM 图像(,),插图为叠加的拉链状原子结构;(d) 对应 FFT 图像, 来源于底层 缓冲层, 对应拉链状 -碲烯;(e) 中间相的三维 STM 图像,显示连续二维区域与离散一维区域共存;(f) 沿虚线提取的高度轮廓,拉链结构高度约为 –,说明所得碲结构具有单原子层厚度。

图 2:缓冲层辅助生长 -碲烯的逐步相变过程。(a–d) Te 沉积和退火过程中四个阶段的 STM 图像:阶段 I、II、III 的 Te 覆盖率分别为 、 和 ;阶段 IV 由阶段 III 经退火获得,因 Te 解离覆盖率降至 ;(a,b) 下方面板为相应结构示意图,橙色、紫色和黄色球分别代表 Te 链、Te 缓冲层和 基底;(d) 白框显示正在发生的相变区域;(e,f) -碲烯形成的两步机制示意图,包括初始奥氏熟化和随后的 Te 解离;(g,h) 各亚稳态与稳态的基态电子能差,说明 Te 迁移与特定手性 Te 链配对在能量上更有利。

图 3: 上可规模化制备的 -碲烯形貌。(a) 在直径 的 单晶不同边缘位置采集的大面积 STM 图像,显示 -碲烯在厘米级范围内均匀形成;(b,c) 原子分辨 STM 图像及模拟图像,晶胞常数 和 与理论结构一致;(d,e) CO 修饰针尖获得的 nc-AFM 图像及模拟结果,直接显示链内 Te—Te 共价键和链间无共价连接特征;(f) -碲烯/缓冲层/ 体系的二维电子局域函数(ELF)图,表明链内电子高度局域、链间电子显著离域;(g) 后退火过程中的对称性演化,最终 -碲烯形成二重面内镜面对称性。

图 4:-碲烯的综合物性表征与应用潜力。(a) 代表性 谱和 DFT 计算能带结构,显示 -碲烯具有约 的带隙,并呈 n 型半导体特征;(b) 沿 的 和 方向获得的截面 HAADF-STEM 与 iDPC-STEM 图像,验证 -碲烯/缓冲层/ 的层状界面结构;(c) XPS 全谱及 、 核心能级谱,排除了明显氧化和合金化;(d) 自由支撑 -碲烯沿 轴和 轴计算得到的晶格热导率,显示极强面内各向异性;(e) -碲烯/缓冲层体系沿 、 方向的应力—应变关系;(f) 角分辨拉曼测试示意图及代表性拉曼光谱, 与 模式对应不同振动方向;(g) 峰强度的角分辨极坐标图,验证面内光学各向异性;(h) 模强度和半峰全宽随空气暴露时间变化,说明样品在 、湿度约 条件下具有一定空气稳定性。
结论与展望
综上,本文通过缓冲层辅助外延方法,在 基底上实现了新型单原子层超平-碲烯的可控生长。通过对覆盖 Te 的 基底在 下后退火 ,Te 纳米结构可经扩展的奥氏熟化和解离触发相变,转化为高度有序的拉链状 -碲烯。该结构由成对的单原子锯齿状一维 Te 链组成,具有二重面内镜面对称性。 不同于此前常见的 p 型碲烯,-碲烯呈现 n 型半导体行为,实验带隙为 。由于链间距较大、链内外成键差异显著,该材料在面内晶格热导率、力学响应和拉曼光学响应中均表现出强各向异性,其中晶格热导率各向异性比可达 量级。该研究拓展了单元素二维材料的结构相图,并展示了超平一维/二维碲同素异形体的可扩展制备潜力。后续若能进一步明确完全脱离 基底后的晶相,将有助于推动其在低功耗纳米光电器件中的集成应用。
文献信息
Buffer-Assisted Epitaxy of Large-Area Ultraflat -Tellurene with Mirror Symmetry
(Nano Lett., 2026, DOI: 10.1021/acs.nanolett.6c01361)
文献链接:https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6c01361