计算指导量子点核壳结构设计(图1):通过密度泛函理论计算,揭示了核壳量子点中壳层厚度对激子行为的调控规律。图1(a)展示了I型、II型和反I型三种能带对齐方式,其中I型结构将电子和空穴同时限制在核内,是实现高效率发光的理想选择。图1(c, d)进一步显示,随着壳层厚度从0.25 nm增至3.25 nm,激子类型会从电子-空穴共定域的I型逐渐过渡为空穴定域于壳层的II型。
图1 核壳量子点的能带对齐类型及壳层厚度依赖的激子分布特性
计算解析缺陷及结构影响发光机理(图2):通过双组分DFT与屏蔽单电子组态相互作用方法,从原子层面揭示了InP量子点表面缺陷对发光的调控机制。图2(a)展示了InP量子点的分子轨道能级与电子密度分布,明确三重配位P原子为空穴陷阱,三重配位In原子为电子陷阱。针对二维钙钛矿,图2(c~e)的电子定位函数等值线图显示,间隔阳离子引发的结构畸变会增强激子-声子耦合,提高非辐射复合损失。
图2 InP量子点的电子结构计算及二维钙钛矿的电子定位函数分析
数据驱动预测材料性能(图3):针对ZnO量子点的带隙预测,机器学习研究对比了多种监督学习模型的表现。图3(a)显示,带二次特征的核岭回归(KRR)和岭回归(RR)模型预测精度最优,可媲美传统有效质量近似模型,且对大尺寸量子点更具优势。针对Ce3+掺杂石榴石型氧化物,研究者提出“第一性原理+监督学习”两步模型(图3(b, c)):先以第一性原理计算获取电子参数训练线性回归模型,再利用神经网络基于结构参数预测电子参数,最终实现对4f→5d跃迁能的精准预测,留一交叉验证相关系数达0.9915。
图3 基于机器学习的材料带隙预测模型对比及Ce3+掺杂晶体光学性能预测研究
数据驱动发现新型荧光粉(图4):基于局部结构相似性思想,机器学习通过t-SNE技术将无机晶体结构数据库中数万种化合物的局部结构映射为二维散点图(图4(a))。以已知窄带荧光粉BaSi2O2N2:Eu2+的Ba位局部结构为参考,成功筛选并合成了新型窄带发射荧光粉K2ZnP2O7:Eu2+(半高宽30 nm)。针对Mn4+掺杂红色荧光粉的激发态寿命预测,随机森林模型揭示了B位对称性为关键结构特征(图4(d~f)),据此发现了(TMA)2SnF6:Mn4+和(TMA)2HfF6:Mn4+两种新型氟化物,其内量子效率>92%,基于前者组装的微型LED显示原型色域覆盖达124% NTSC。