南京理工大学联合企业攻关高端制程芯片核心设备技术

5月21日，南京理工大学与苏州源拓真空技术有限公司在南京签署协议，共建“薄膜沉积颠覆性技术研发中心”。该中心将聚焦高端半导体装备核心环节，联合攻关长期被海外垄断的先进制程薄膜沉积技术，旨在推动该关键装备的自主可控。

半导体薄膜沉积设备是芯片制造的三大核心设备之一，其技术长期被国外企业主导。研发中心的成立，旨在整合高校前沿科研能力与企业的工程化及市场能力，加速创新链与产业链的融合。

据悉，双方将围绕核心技术攻坚、省级实验室建设、专利成果转化等方向开展工作，力争将中心建设成为校企深度融合的示范平台，为我国半导体产业高质量发展提供装备与技术支撑。