
当前,Micro-LED显示技术正处于从实验室走向规模化量产的关键阶段,但巨量转移、异质集成、良率管控等技术瓶颈仍制约着其商业化进程。传统的Micro-LED制造依赖于芯片转移与封装,不仅工艺复杂、成本高昂,还难以满足高分辨率显示对像素密度的极致需求。异质与在片集成技术作为Micro-LED显示的核心解决方案,能够实现芯片与驱动电路的直接集成,大幅简化制造流程、提升显示性能,成为行业突破量产瓶颈的关键方向。
5月15-17日,由江南大学、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026先进半导体封装技术与应用论坛(CASPF 2026)”将在江阴启幕。南京大学电子科学与工程学院教授周玉刚受邀将出席论坛,并带来《面向高性能显示的Micro-LED面阵芯片异质与在片集成技术研究》的主题报告。
报告将聚焦相关技术的前沿进展,深入解析高性能显示对集成技术的核心需求。并结合团队多方面的研究成果,展示如何通过材料设计与工艺优化,实现Micro-LED面阵芯片的高效集成与高性能输出,以及探讨异质与在片集成技术多领域的应用前景,为行业提供可借鉴的技术路径与解决方案。

嘉宾简介
团队介绍
周玉刚教授隶属于江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室(南京大学与江苏第三代半导体研究院有限公司共建)。南京大学是我国最早开展第三代半导体研究的单位之一,科研基础雄厚;共建单位是国家第三代半导体技术创新中心(苏州)主体建设单位,助力前沿技术产业转化。实验室人才梯队雄厚,拥有中国科学院院士2人、国家级科技人才40余人,近年来承担国家重点研发计划、基金委重大/重点项目等数十项,发表国际高水平论文900余篇,授权专利100余项,专利技术转让许可金额超1000万元。实验室软硬件设施完备,科研场地超1.7万平方米,大型实验仪器两百余台/件,总价值超3亿元。实验室面向产业与国防重大需求,围绕第三代半导体材料生长、器件设计制备等方向布局,聚焦四大研究方向,致力于解决领域关键技术问题,推进成果转化。其建设目标是联合攻关核心技术,产出国内引领、部分国际领先的成果,破解“卡脖子”难题,培养一流人才,助力江苏打造世界级第三代半导体产业集群。
周玉刚课题组以GaN基半导体材料、器件与异质集成为核心研究方向,紧密围绕国家及江苏省第三代半导体产业发展需求,开展前沿基础研究与关键技术攻关。组内成员涵盖博士后、博士研究生及硕士研究生,形成了梯队完善的人才队伍,兼具扎实的学术功底与较强的实践创新能力。课题组的主要研究内容包括:(1)基于异质集成及在片集成的GaN基micro-LED面阵芯片研发;(2)光电器件工艺与器件物理;(3)GaN HEMT器件的可靠性与热测试方法研究。近年来,课题组依托实验室完善的软硬件支撑,在ACS Nano、IEEE EDL、IEEE TED等国际高水平期刊发表多篇学术论文,授权多项发明专利,部分成果得到产业转化。
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